IRF7424TR和IRF7424TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7424TR IRF7424TRPBF

描述 SOIC P-CH 30V 11AINFINEON  IRF7424TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -

额定电流 -11.0 A -

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W

产品系列 IRF7424 -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 -30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A

上升时间 23.0 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 4030pF @25V(Vds) 4030pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 - 2.5 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0135 Ω

阈值电压 - 2.5 V

输入电容 - 4030 pF

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 - 76 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 End of Life Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台