对比图
型号 IRFP064NPBF IRFP3306PBF IRFP054NPBF
描述 INFINEON IRFP064NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFP3306PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0033 ohm, 20 V, 4 VN 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 150 W 220 W 130 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.008 Ω 0.0033 Ω 0.012 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 220 W 130 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 4000pF @25V 4520 pF 2900 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 110A 160A 81A
上升时间 100 ns 76 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4520pF @50V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
下降时间 70 ns 77 ns 46 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 220W (Tc) 170W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 55 V - 55 V
额定功率(Max) 200 W - 170 W
长度 15.9 mm 15.87 mm 15.9 mm
宽度 5.3 mm 5.31 mm 5.3 mm
高度 20.3 mm 20.7 mm 20.3 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17