BZX55B11-TAP和BZX55F11-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55B11-TAP BZX55F11-TR BZX55A11-TAP

描述 500mW,BZX55B 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDiode Zener Single 11V 3% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/RDiode Zener Single 11V 1% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 Ammo

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-204AH

引脚数 2 - -

容差 ±2 % ±1 % ±1 %

正向电压 1.5V @200mA 1.5V @200mA 1.5V @200mA

稳压值 11 V 11 V 11 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA - -

正向电压(Max) 1.5V @200mA - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

封装 DO-35 DO-204AH DO-204AH

长度 3.9 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ 175 ℃ 175 ℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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