IS45S16800E-7TLA2和IS45S16800F-7TLA2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS45S16800E-7TLA2 IS45S16800F-7TLA2

描述 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 143MHz 8Mx16 SDR S动态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 130 mA 100 mA

位数 16 16

存取时间 7 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 5.4 ns

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

封装 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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