BZX85C10和BZX85C8V2-TAP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C10 BZX85C8V2-TAP 1N4740A_T50A

描述 BZX85C 系列 10 V 200 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-411.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDIODE ZENER 10V 1W DO41

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

针脚数 2 - -

正向电压 1.2V @200mA - -

耗散功率 1 W 1.3 W 1 W

测试电流 25 mA 25 mA 25 mA

稳压值 10 V 8.2 V 10 V

额定功率(Max) 1 W 1.3 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1 W 1.3 W -

额定功率 - 1.3 W -

长度 5.2 mm 4.1 mm -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 2.6 mm -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Ammo Pack -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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