对比图
描述 TRANSISTOR PNP HI GAIN SOT223NXP PBSS5350Z,135 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 1.35 W, -3 A, 200 hFE
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4
频率 100 MHz 100 MHz
额定功率 - -
针脚数 - 4
耗散功率 2 W 1.35 W
增益频宽积 - -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) 300 @10mA, 2V 100 @2A, 2V
额定功率(Max) 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) - 200
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 2 W
额定电压(DC) -40.0 V -
额定电流 -2.00 A -
极性 PNP PNP
集电极最大允许电流 3A 3A
最大电流放大倍数(hFE) - 200 @500mA, 2V
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
封装 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17