BZT55C4V7-GS08和BZV55-C4V7,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT55C4V7-GS08 BZV55-C4V7,115 BZT55C4V7

描述 VISHAY  BZT55C4V7-GS08  单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 500 mW, MiniMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °CNXP  BZV55-C4V7,115  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-80 SOD-80 Quadro-Melf-2

容差 ±5 % ±5 % -

额定功率 0.5 W - -

针脚数 2 2 2

正向电压 1.5V @200mA 900mV @10mA -

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 4.7 V 4.7 V 4.7 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

长度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.5 mm 1.6 mm 1.8 mm

封装 SOD-80 SOD-80 Quadro-Melf-2

宽度 - 1.6 mm 1.6 mm

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - -1.4 mV/K -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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