BCR169W和MUN5111DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR169W MUN5111DW1T1G BCR141W

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。BCR141W 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 22k 22k SOT-323/SC-70 marking/标记 WD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-323 SC-88-6 SOT-323

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

额定功率 0.25 W - 0.25 W

极性 PNP PNP, P-Channel NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 120 35 @5mA, 10V 50

最大电流放大倍数(hFE) 120 35 @5mA, 10V 50

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

耗散功率 - 0.385 W -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 385 mW -

长度 2.00 mm 2 mm 2.00 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.90 mm 0.9 mm 0.90 mm

封装 SOT-323 SC-88-6 SOT-323

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life Active End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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