UC3844BVDR2G和UC3845BD1R2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UC3844BVDR2G UC3845BD1R2G UC3844BVD1R2G

描述 高性能电流模式控制器ON SEMICONDUCTOR  UC3845BD1R2G  控制器, PWM, 25V-12V电源, 250 kHz, 13.4V/12mA输出, SOIC-8ON SEMICONDUCTOR  UC3844BVD1R2G  控制器, 电流模式, 25V-12V电源, 250 kHz, 13.4V/200mA输出, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 DC/DC转换器稳压芯片PWM控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 8 8

封装 SOIC-14 SOIC-8 SOIC-8

频率 - 250 kHz 250 kHz

电源电压(DC) - 12.0V (min) 12.0V (min)

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 30.0 V 30.0 V 25.0 V

输出电压 4.9V ~ 5.1V 13.4 V 13.4 V

输出电流 1000 mA 12 mA 200 mA

供电电流 - 12 mA 12 mA

针脚数 - 8 8

耗散功率 862 mW 0.702 W 0.702 W

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

开关频率 500 kHz 500 kHz 500 kHz

拓扑结构 Flyback, Forward, Step-Up, Step-Down Flyback, Forward, Step-Up, Step-Down Flyback, Forward, Step-Up, Step-Down

占空比 48 % 50 % 48 %

最大占空比 48 % 48 % 48 %

下降时间 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) 862 mW 702 mW 702 mW

电源电压 10V ~ 30V 7.6V ~ 30V 10V ~ 30V

电源电压(Max) - 25 V 25 V

电源电压(Min) - 12 V 12 V

输入电压 - - 25 V

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-14 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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