PIC12F617-I/P和PIC12F617T-I/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F617-I/P PIC12F617T-I/SN PIC12F615-I/P

描述 MICROCHIP  PIC12F617-I/P  微控制器, 8位, 闪存, PIC12F6xx, 20 MHz, 3.5 KB, 128 Byte, 8 引脚, DIPPIC12 系列 128 B RAM 3.5 kB 闪存 8位 微控制器 SMT - SOIC-8MICROCHIP  PIC12F615-I/P  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 1.75 KB, 64 Byte, 8 引脚, DIP

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 PDIP-8

频率 20 MHz 20 MHz 20 MHz

电源电压(DC) 2.00V (min) - 2.00V (min)

工作电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

针脚数 8 8 8

时钟频率 20 MHz - 20 MHz

RAM大小 128 B 128 B 64 B

位数 8 8 8

耗散功率 800 mW - 800 mW

FLASH内存容量 3584 B - 1.75 KB

存取时间 - - 20.0 µs

内核架构 - - PIC

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 6 Input 5 Input 6 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2 V 2 V 2 V

长度 9.27 mm 4.9 mm 10.16 mm

宽度 6.35 mm 3.9 mm 6.35 mm

高度 3.3 mm 1.25 mm 3.3 mm

封装 DIP-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 3A991.a.2 EAR99

HTS代码 - - 8542310001

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