IS42SM32800E-6BLI和IS42SM32800K-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM32800E-6BLI IS42SM32800K-6BLI

描述 DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGADRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

供电电流 95 mA -

电源电压 3V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

存取时间 - 5.5 ns

存取时间(Max) - 8ns, 5.5ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

高度 - 0.8 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台