PTFA080551E和PTFA080551F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PTFA080551E PTFA080551F

描述 热增强型高功率射频LDMOS FET的55 W, 869 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 – 960 MHz热增强型高功率射频LDMOS FET的55 W, 869 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 – 960 MHz

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台