FZ200R65KF2和Z250

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZ200R65KF2 Z250 FZ250R65KE3NPSA1

描述 IGBT模块 IGBT-modulesInsulated Gate Bipolar TransistorTrans IGBT Module N-CH 6.5kV 250A 5Pin IHV73-6

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw - Screw

封装 MODULE - A-IHV73-6

击穿电压(集电极-发射极) - - 6500 V

输入电容(Cies) - - 69nF @25V

额定功率(Max) - - 4800 W

封装 MODULE - A-IHV73-6

工作温度 - - -50℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

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