对比图
型号 IXFV96N20P IXTH96N20P IXTV102N20T
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3Pin(3+Tab) PLUS 220IXYS SEMICONDUCTOR IXTH96N20P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 96 A, 200 V, 24 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 200V 102A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
耗散功率 600W (Tc) 600 W 750W (Tc)
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
上升时间 30 ns 30 ns -
输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)
下降时间 30 ns 30 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 750W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.024 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 5 V -
连续漏极电流(Ids) - 96.0 A -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
香港进出口证 - NLR -