LM285BYM-1.2和LM285BYMX-1.2/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM285BYM-1.2 LM285BYMX-1.2/NOPB

描述 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference DiodeLM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

数据手册 --

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC SOIC-8

引脚数 - 8

封装 SOIC SOIC-8

高度 - 1.5 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

容差 - ±1 %

输出电压 - 1.235 V

输出电流 - 20 mA

通道数 - 1

输出电压(Max) - 1.235 V

输出电压(Min) - 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

精度 - 1 %

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

温度系数 - ±50 ppm/℃

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