IS42SM16200C-75BLI-TR和IS42SM16200D-75BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM16200C-75BLI-TR IS42SM16200D-75BLI-TR

描述 DRAM 32M, 3.3V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R动态随机存取存储器 32M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 BGA-54 TFBGA-54

存取时间 6 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 2.7 V -

封装 BGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 Lead Free

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