AUIRLU2905和IRLU2905

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRLU2905 IRLU2905 IRLU2905ZPBF

描述 INFINEON  AUIRLU2905  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 1 VIPAK N-CH 55V 42AINFINEON  IRLU2905ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 11 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 110 W 110W (Tc) 110 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 42A 42A 60A

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

额定功率 - - 110 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.027 Ω - 0.011 Ω

阈值电压 1 V - 1 V

上升时间 84 ns - 130 ns

额定功率(Max) - - 110 W

下降时间 15 ns - 33 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 7.49 mm - 2.39 mm

高度 2.39 mm - 7.49 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Rail, Tube - Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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