对比图
型号 IXFK88N30P IXFT86N30T IXTQ88N30P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK88N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 VTO-268 N-CH 300V 86AIXYS SEMICONDUCTOR IXTQ88N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-264-3 TO-268-3 TO-3-3
通道数 - - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.04 Ω 43 mΩ 0.04 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 600 W 830 W 600 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 88.0 A 86A 88.0 A
上升时间 - 18 ns 24 ns
反向恢复时间 - - 250 ns
输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 830 W 600 W
下降时间 - 54 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 860W (Tc) 600W (Tc)
漏源击穿电压 - 300 V -
封装 TO-264-3 TO-268-3 TO-3-3
长度 - 16.05 mm -
宽度 - 14 mm -
高度 - 5.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/06/16