对比图
型号 IPD50N06S214ATMA1 IRFZ46ZS IPD50N06S214ATMA2
描述 DPAK N-CH 55V 50AD2PAK N-CH 55V 51AN-CH 55V 50A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 51.0 A -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 136W (Tc) 82W (Tc) 136W (Tc)
产品系列 - IRFZ46ZS -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 50A 51.0 A 50A
上升时间 - 63.0 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 1485pF @25V(Vds) 1460pF @25V(Vds) 1485pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 136W (Tc) 82W (Tc) 136W (Tc)
下降时间 - - 19 ns
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅