BFR92ARGELB-GS08和BFR93AW

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR92ARGELB-GS08 BFR93AW BFR92A,215

描述 硅NPN平面RF晶体管 Silicon NPN Planar RF TransistorBFR93AW NPN三极管 20V 50mA 6Ghz 50~200 SOT-323/SC-70 marking/标记 R2 RF放大器,混频器和振荡器BFR92A,215 , NPN 射频双极晶体管, 0.025 A, Vce=15 V, HFE:40, 5000 MHz, 3针 SOT-23封装

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-323 SOT-23-3

频率 - - 5000 MHz

极性 - NPN, N-Channel NPN

耗散功率 200 mW - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 15 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 65 @15mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 40

额定功率(Max) - - 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 90

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 300 mW

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 1.05 mm - 1 mm

封装 SOT-23 SOT-323 SOT-23-3

工作温度 - - 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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