IDT6116SA25TPGI和IDT6116SA25TPI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116SA25TPGI IDT6116SA25TPI 6116SA25TPI

描述 IC SRAM 16Kbit 25NS 24DIPCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 24

封装 DIP DIP-24 DIP

安装方式 Through Hole Through Hole -

长度 - - 31.75 mm

宽度 - - 7.62 mm

封装 DIP DIP-24 DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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