BCW66GE6327和BCW66GLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW66GE6327 BCW66GLT1G BCW66GLT3G

描述 SOT-23 NPN 45V 0.8AON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFEPNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 330 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) - 300 mW 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330 mW 300 mW 225 mW

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 800 mA 800 mA -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 60 -

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 2.64 mm

高度 - - 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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