TL5580ID和TL5580IDE4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL5580ID TL5580IDE4 TL5580IDR

描述 双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIER双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIER双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 6 mA 6 mA 6 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 90 dB - 90 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 12.0 MHz 12.0 MHz 12.0 MHz

转换速率 5.00 V/μs 5.00 V/μs 5.00 V/μs

增益频宽积 12 MHz 12 MHz 12 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 100 nA 100 nA 100 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 12 MHz - 12 MHz

共模抑制比(Min) 90 dB - 90 dB

电源电压(Max) 32 V - -

电源电压(Min) 4 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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