RHRD660S9A-F085和RHRD660S9A_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RHRD660S9A-F085 RHRD660S9A_F085 RHRD660S

描述 600V, 6A, 2.1V, DPAK Hyperfast Diode, TO-252 3L (DPAK), 2500-REELON Semiconductor 二极管 RHRD660S9A_F085 开关, Io=6A, Vrev=600V, 35ns, 3引脚 DPAK (TO-252)封装6A , 600V超高速二极管 6A, 600V Hyperfast Diodes

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔)

分类 肖特基二极管

基础参数对比

封装 TO-252 TO-252 TO-252

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252 TO-252 TO-252

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

正向电压 - 2.1 V -

反向恢复时间 35 ns 35 ns -

正向电流 - 6000 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 60 A -

正向电压(Max) - 2.1 V -

正向电流(Max) 6 A 6 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 50000 mW 50000 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

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