1N3015B和JAN1N3015

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3015B JAN1N3015 JAN1N3015B

描述 Zener Diode,10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 2 - 2

封装 DO-4 DO-4 DO-4

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.5V @2A

耗散功率 10 W 10 W 10 W

测试电流 - - 12 mA

稳压值 200 V 200 V 200 V

额定功率(Max) - - 10 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

封装 DO-4 DO-4 DO-4

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Each - Tray

RoHS标准 - - Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

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