IS42VM16800G-75BLI和IS42VM16800H-75BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42VM16800G-75BLI IS42VM16800H-75BLI IS42SM16800F-75BLI

描述 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT128m, 1.8V, Mobile Sdram, 8mx16, 133MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, It128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 Ball BGA (8mmx8mm) , IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 BGA-54 TFBGA-54 BGA-54

供电电流 55 mA 55 mA -

位数 - 16 16

存取时间 7.5 ns 6 ns 6 ns

存取时间(Max) 8ns, 6ns 7.5 ns 6ns, 8ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V -

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

封装 BGA-54 TFBGA-54 BGA-54

高度 0.8 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

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