IXFT15N100Q和IXFX14N100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT15N100Q IXFX14N100 IXFV15N100P

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 15A 3Pin(2+Tab) TO-268PLUS N-CH 1000V 14APLUS N-CH 1000V 15A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-220-3

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 360 W 360W (Tc) 543W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) - 14A 15A

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 5140pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 543W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源极电阻 700 mΩ - -

漏源击穿电压 1000 V - -

上升时间 27 ns - -

下降时间 14 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-220-3

长度 16.05 mm - -

宽度 14 mm 5.21 mm -

高度 5.1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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