SSM3J16CT(TPL3)和CEDM8001VL TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SSM3J16CT(TPL3) CEDM8001VL TR

描述 SSM3J16CT(TPL3) 编带Mosfet p-Ch 20V 0.1A Sot883

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Central Semiconductor

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 CST-3 SOT-883

极性 P-CH -

耗散功率 100 mW 100mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 0.1A -

输入电容(Ciss) 11pF @3V(Vds) 45pF @3V(Vds)

额定功率(Max) 100 mW 100 mW

耗散功率(Max) 100mW (Ta) 100mW (Ta)

长度 1 mm -

宽度 0.6 mm -

高度 0.38 mm -

封装 CST-3 SOT-883

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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