IS61WV12816BLL-12TI和IS61WV12816BLL-12TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61WV12816BLL-12TI IS61WV12816BLL-12TLI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 12ns 44Pin TSOP-IIRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 44 44

封装 TSOP-2 TSOP-44

安装方式 - Surface Mount

位数 16 16

存取时间(Max) 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max)

存取时间 - 12 ns

内存容量 - 2000000 B

电源电压 - 3V ~ 3.6V

封装 TSOP-2 TSOP-44

长度 - 18.52 mm

宽度 - 10.29 mm

高度 - 1.05 mm

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a EAR99

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

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