AO4614B和SI4599DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO4614B SI4599DY-T1-GE3

描述 二极管与整流器N和P通道40 - V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

数据手册 --

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0295 Ω

极性 N+P N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 - 1.4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 6A/5A 5.6A

输入电容(Ciss) 650pF @20V(Vds) 640pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 3W, 3.1W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 3 W

额定功率 1.28 W -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99

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