MBR1060CT-I和VT1060C-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBR1060CT-I VT1060C-E3/4W

描述 DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

正向电压 750mV @5A 700mV @5A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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