IXFN140N20P和IXFR120N20的区别_IXFN140N20P代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN140N20P IXFR120N20 FR12

描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN140N20P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 200 V, 18 mohm, 10 V, 5 VN沟道 200V 105APower Field-Effect Transistor, 105A I(D), 200V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 4 3 -

封装 SOT-227-4 TO-247-3 -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 105 A -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.018 Ω 17.0 mΩ -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 680 W 417 W -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 140 A 105 A -

上升时间 35 ns 65 ns -

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 9100pF @25V(Vds) -

下降时间 90 ns 35 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 680000 mW 417W (Tc) -

针脚数 4 - -

阈值电压 5 V - -

漏源击穿电压 200 V - -

宽度 25.42 mm 5.21 mm -

封装 SOT-227-4 TO-247-3 -

长度 38.23 mm - -

高度 9.6 mm - -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -