对比图
型号 TLV2252QDREP TLV2252QDRG4 TLV2252IDRG4
描述 中晚期原发性肝癌LinCMOSâ ?? ¢ RAIL- TO -RAIL极低功耗OPERATIOPNAL放大器 Advanved LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIOPNAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 70 µA 70 µA 70 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K
带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz
转换速率 100 mV/μs 100 mV/μs 120 mV/μs
增益频宽积 200 kHz 200 kHz 0.2 MHz
输入补偿电压 200 µV 200 µV 1.5 mV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 0.06 nA
输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA
耗散功率 - - 0.725 W
共模抑制比 - - 70 dB
工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW
共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB
增益带宽 0.2 MHz - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.91 mm
高度 - - 1.58 mm
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free