PIC16F785-E/P和PIC16F785-E/SO

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC16F785-E/P PIC16F785-E/SO PIC16F785T-I/ML

描述 20引脚基于闪存的8位CMOS微控制器,带有两相异步反馈PWM双高速比较器和双通道运算放大器 20-Pin Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontroller with Two-Phase Asynchronous Feedback PWM Dual High-Speed Comparators and Dual Operational Amplifiers20引脚基于闪存的8位CMOS微控制器,带有两相异步反馈PWM双高速比较器和双通道运算放大器 20-Pin Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontroller with Two-Phase Asynchronous Feedback PWM Dual High-Speed Comparators and Dual Operational AmplifiersPIC12 系列 25 B RAM 512 x 12位 EPROM 8位 CMOS 微控制器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 20 20 20

封装 PDIP-20 SOIC-20 QFN-20

频率 - - 20 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 20.0MHz (max) 20.0MHz (max) 20.0MHz (max)

RAM大小 128 B 128 B 128 B

位数 8 8 8

耗散功率 800 mW 800 mW 600 mW

FLASH内存容量 3.5 KB 3.5 KB 3.5 KB

I/O引脚数 17 17 17

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

模数转换数(ADC) 1 1 1

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 600 mW

电源电压 - - 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.2 V 4.2 V 4.2 V

内核子架构 - PIC16 -

长度 - - 4 mm

宽度 6.35 mm - 4 mm

高度 - - 0.88 mm

封装 PDIP-20 SOIC-20 QFN-20

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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