对比图
型号 IXFN80N50Q2 IXFN80N50Q3 IXFN50N50
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 80A 4Pin SOT-227BN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备SOT-227B N-CH 500V 50A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Surface Mount Chassis
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
耗散功率 890 W 780 W 600 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
输入电容(Ciss) 12800pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 890W (Tc) 780W (Tc) 600W (Tc)
通道数 - - 1
极性 - N-Channel N-CH
连续漏极电流(Ids) - 63A 50A
漏源极电阻 - 0.065 Ω -
阈值电压 - 6.5 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
宽度 - 25.07 mm 25.42 mm
长度 - 38.23 mm -
高度 - 9.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -