IS42S32800D-75EBL和IS42S32800J-75EBL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800D-75EBL IS42S32800J-75EBL

描述 动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133MHz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 BGA-90 BGA-90

供电电流 180 mA 170 mA

位数 32 32

存取时间 7.5 ns 6 ns

存取时间(Max) 5.5 ns 7.5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 BGA-90 BGA-90

长度 13 mm -

宽度 8 mm -

高度 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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