IRLMS2002和IRLMS2002TRPBF

对比图

型号 IRLMS2002 IRLMS2002TRPBF IRLMS2002PBF

描述 TSOP N-CH 20V 6.5AINFINEON  IRLMS2002TRPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOPINFINEON  IRLMS2002PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 µSOIC

引脚数 - 6 6

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 2W (Ta) 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.5A 6.5A 6.5A

输入电容(Ciss) 1310pF @15V(Vds) 1310pF @15V(Vds) -

耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta) -

额定功率 - 2 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 6 6

漏源极电阻 - 30 mΩ 0.03 Ω

阈值电压 - 1.2 V 1.2 V

输入电容 - 1310 pF -

漏源击穿电压 - 20 V -

上升时间 - 11 ns -

额定功率(Max) - 2 W -

下降时间 - 16 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 µSOIC

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.75 mm -

高度 - 1.3 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -