R1LV1616RBG-7SR和R1LV1616RBG-7SI#B0

对比图

型号 R1LV1616RBG-7SR R1LV1616RBG-7SI#B0 R1LV1616RBG-7SW

描述 16MB先进LPSRAM （ 1M wordx16bit / 2M wordx8bit ） 16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit)SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16Bit 70ns 48Pin TFBGA

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

封装 BGA TFBGA-48 BGA

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 48 -

封装 BGA TFBGA-48 BGA

长度 - 7.5 mm -

宽度 - 8.5 mm -

高度 - 0.8 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - PB free -

供电电流 - 40 mA -

时钟频率 - 1 MHz -

位数 - 8, 16 -

存取时间 - 70 ns -

存取时间(Max) - 70 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -