LM385BYZ-1.2/NOPB和LM385Z-1.2/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BYZ-1.2/NOPB LM385Z-1.2/NOPB ICL8069CCZR

描述 LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeTEXAS INSTRUMENTS  LM385Z-1.2/NOPB.  芯片, 电压基准, 1.235V低电压基准 Low Voltage Reference

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

额定电流 10.0 A - -

容差 ±1 % ±2 % -

输出电压 1.235 V 1.235 V -

输出电流 20 mA 20 mA 5 mA

供电电流 10.0 mA 10.0 A -

通道数 1 1 -

输出电压(Max) 1.235 V 1.235 V -

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.2 V

输出电流(Max) 20 ma 20 mA -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

精度 2 % ±1 % -

针脚数 - 3 -

额定电压 - 1.235 V -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.2 mm 5.2 mm -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

温度系数 ±50 ppm/℃ ±150 ppm/℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

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