对比图
型号 IXTP1N100 IXTT1N100 IRFZ14PBF
描述 TO-220AB N-CH 1000V 1.5ATO-268 N-CH 1000V 1.5A功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-220-3 TO-268-3 TO-220-3
引脚数 3 - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 54 W 60 W 43 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 1.5A 1.5A 10.0 A
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 60 W 43 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 54W (Tc) 60W (Tc) 43 W
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 10.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.2 Ω
阈值电压 - - 2 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
上升时间 19 ns - 50 ns
下降时间 18 ns - 19 ns
封装 TO-220-3 TO-268-3 TO-220-3
长度 - - 10.41 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - - 9.01 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 - Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free