BSM200GA170DN2和MG360V1US41

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM200GA170DN2 MG360V1US41 FF200R17KE4

描述 IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290AN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)INFINEON  FF200R17KE4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Screw

引脚数 - - 7

封装 62MM - AG-62MM-1

额定功率 - - 1250 W

针脚数 - - 7

极性 - - NPN

耗散功率 - - 1.25 kW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 62MM - AG-62MM-1

长度 106.4 mm - -

宽度 61.4 mm - -

高度 36.5 mm - -

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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