BUK7675-55A和BUK7675-55A,118

对比图

型号 BUK7675-55A BUK7675-55A,118 934056270118

描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FETD2PAK N-CH 55V 20.3APower Field-Effect Transistor, 20.3A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-263 TO-263-3 -

通道数 - 1 -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 62 W -

漏源极电压(Vds) - 55 V -

连续漏极电流(Ids) - 20.3A -

上升时间 - 50 ns -

输入电容(Ciss) - 483pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 62 W -

下降时间 - 40 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 62W (Tc) -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 4.5 mm -

封装 TO-263 TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -