对比图
型号 IXFH12N120 IXTH12N120 IXFH12N120P
描述 TO-247AD N-CH 1200V 12AMOSFET N-CH 1200V 12A TO-247IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 1.35 ohm, 10 V, 6.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 1.35 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 500W (Tc) 500W (Tc) 543 W
阈值电压 - - 6.5 V
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1.2 kV
连续漏极电流(Ids) 12A - 12A
上升时间 25 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 3400pF @25V(Vds) 3400pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds)
下降时间 17 ns 17 ns 34 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 543W (Tc)
长度 - - 16.26 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15