CY7C199C-12VXI和IS61C256AL-12JLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C199C-12VXI IS61C256AL-12JLI-TR CY7C199-12VI

描述 IC SRAM 256Kbit 12NS 28SOJRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)32K x 8静态RAM 32K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BSOJ-28 SOJ-28 SOJ

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 28 28

时钟频率 12.0 GHz - -

存取时间 12.0 ns 12 ns -

内存容量 256000 B 256000 B -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

供电电流 - 40 mA -

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 12 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 BSOJ-28 SOJ-28 SOJ

长度 - 18.54 mm -

宽度 - 7.75 mm -

高度 - 2.67 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台