对比图
型号 IXFK88N30P IXTQ88N30P IXFH88N30P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK88N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTQ88N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.04 Ω 0.04 Ω 0.04 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 600 W 600 W 600 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 88.0 A 88.0 A 88.0 A
上升时间 - 24 ns 24 ns
反向恢复时间 - 250 ns 200 ns
输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 600 W 600 W
下降时间 - 25 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 - - 16.26 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 21.46 mm
封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 2015/06/15