2PA1576和PMD5001K

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2PA1576 PMD5001K 2SA1586

描述 PNP通用晶体管 PNP general-purpose transistor低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 0.1W(1/10W) Automotive 3Pin USM T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Toshiba (东芝)

分类

基础参数对比

封装 - MPAK SC-70

封装 - MPAK SC-70

产品生命周期 Active Unknown Active

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

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