BUK7E2R7-30B和BUK7E2R7-30B,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7E2R7-30B BUK7E2R7-30B,127 IRF2903ZPBF

描述 N-channel TrenchMOS standard level FETTrans MOSFET N-CH 30V 241A Automotive 3Pin(3+Tab) I2PAK TubeHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262 TO-262-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

耗散功率 - 300 W 290 W

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

输入电容(Ciss) - 6212pF @25V(Vds) 6320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 290W (Tc)

额定功率 - - 290 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0024 Ω

极性 - - N-CH

阈值电压 - - 4 V

连续漏极电流(Ids) - - 260A

上升时间 - - 100 ns

下降时间 - - 37 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

封装 TO-262 TO-262-3 TO-220-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 16.51 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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