TD62002AFG和ULN2002D1013TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TD62002AFG ULN2002D1013TR UPA2002C-A

描述 SOP NPN 50V 0.5ASTMICROELECTRONICS  ULN2002D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOICPDIP NPN 0.5A

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 16 -

封装 SOP SOIC-16 PDIP

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 500 mA -

输出电压 - 50 V -

输出电流 - 500 mA -

针脚数 - 16 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V -

直流电流增益(hFE) - 1000 -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

输入电压 - 3 V -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.65 mm -

封装 SOP SOIC-16 PDIP

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -

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