IR2112STR和IR2112STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2112STR IR2112STRPBF

描述 Driver 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin SOIC W T/RP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16

电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min)

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 2 2

产品系列 IR2112 -

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

额定功率 - 1.25 W

输出电压 - 600 V

输出电流 - 200 mA

通道数 - 2

针脚数 - 16

耗散功率 - 1.25 W

静态电流 - 180 µA

上升时间 - 130 ns

下降时间 - 65 ns

下降时间(Max) - 65 ns

上升时间(Max) - 130 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 1250 mW

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

封装 SOIC-16 SOIC-16

长度 - 10.5 mm

宽度 - 7.6 mm

高度 - 2.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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