BUL45和BUL45G

对比图

型号 BUL45 BUL45G

描述 功率晶体管5.0安培700伏35和75瓦 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTSON SEMICONDUCTOR  BUL45G  射频双极晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 12 MHz

额定电压(DC) 400 V 400 V

额定电流 5.00 A 5.00 A

针脚数 - 3

极性 N-Channel NPN

耗散功率 75.0 W 75 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V

集电极最大允许电流 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 14 @300mA, 5V 14 @300mA, 5V

额定功率(Max) 75 W 75 W

直流电流增益(hFE) - 34

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 75000 mW

宽度 - 4.82 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99